GaN FET向け高耐圧・ハイパワーなバイアス T
超低損失でありながら高耐圧なバイアス Tを製造しております。
5G Sub6,VSAT向けの周波数帯0.6GHz~17.0GHzをカバーしたGaN用 超低損失ハイパワー Bias-T 「BTJ-H****F」シリーズ5機種をリリースしました。
バイアス T
超低損失でありながら高耐圧なバイアス Tを製造しております。
5G Sub6,VSAT向けの周波数帯0.6GHz~17.0GHzをカバーしたGaN用 超低損失ハイパワー Bias-T 「BTJ-H****F」シリーズ5機種をリリースしました。